سامسونج تطور أول ذاكرة DDR5 DRAM من فئة 12 نانومتر
أعلنت شركة سامسونج يوم الأربعاء عن تطوير ذاكرة وصول عشوائي DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابايت، تمتاز بأنها الأولى في الصناعة المبنية على تقنية المعالجة من فئة 12 نانومتر، بالإضافة إلى استكمال موافقة شركة AMD عليها.
وقال نائب الرئيس التنفيذي للمنتجات وتقنيات DRAM، جويونج لي، في بيان إن ذاكرة الوصول العشوائي DRAM الجديدة بتقنية 12 نانومتر ستكون عامل تمكين رئيسي في دفع اعتماد ذواكر DDR5 DRAM على مستوى السوق.
وأضاف “لي” أنه من خلال الأداء الاستثنائي وكفاءة الطاقة، فإن سامسونج تتوقع أن تكون ذاكرتها الجديدة من نوع DRAM الأساس لعمليات أكثر استدامة في مجالات، مثل: الحوسبة من الجيل التالي، ومراكز البيانات، والأنظمة التي تعتمد على الذكاء الاصطناعي.
ومن جانبها، قالت AMD: “يسعدنا التعاون مرة أخرى مع سامسونج، لا سيما في تقديم ذاكرة DDR5 التي حُسِّنت وأُجِيزت لمنصات Zen”.